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FGH50T65UPD

Marking:FGH50T65UPD;Package:TO-247-3LD;IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A

Description UsinginnovativefieldstoptrenchIGBTtechnology, ONSemiconductor’snewseriesoffield−stoptrenchIGBTsoffer optimumperformanceforsolarinverter,UPS,welder,anddigital powergeneratorwherelowconductionandswitchinglossesare essential. Features •MaximumJunctio

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    FGH50T65UPD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    2.7mJ(开),740µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/160ns

  • 测试条件:

    400V,50A,6 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

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