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FGH60N60SMD	文件：488.41 Kbytes Page：11 Pages	Marking：FGH60N60SMD；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 60 A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Maximum	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FGH60N60SMD

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Marking：FGH60N60SMD；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 60 A

Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Maximum

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
FGH60N60SMD
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，60A
开关能量：
1.26mJ（开），450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/104ns
测试条件：
400V，60A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

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