零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking:FGY120T65SPD;Package:TP-247;Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode 650 V, 120 A Features •VeryLowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Typ.)@IC=120A •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficient •TightParameterDistribution •HighInputImpedance •100%ofthePartsareDynamicallyTested •ShortCircuitRuggedness>6s | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
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