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FGY120T65SPD-F085

丝印:FGY120T65SPD;Package:TP-247;Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode 650 V, 120 A

Features • Very Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.5 V(Typ.) @ IC = 120 A • Maximum Junction Temperature : TJ = 175°C • Positive Temperature Co−efficient • Tight Parameter Distribution • High Input Impedance • 100% of the Parts are Dynamically Tested • Short Circuit Ruggedness > 6 s

文件:481.25 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGY120T65SPD-F085

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 240A 882W TO-247

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FGY120T65SPD-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,120A

  • 开关能量:

    6.8µJ(开),3.5µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    53ns/102ns

  • 测试条件:

    400V,120A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 650V 240A 882W TO-247

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更多FGY120T65SPD-F085供应商 更新时间2025-12-11 23:01:00