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FGY120T65SPD-F085	文件：481.25 Kbytes Page：11 Pages	丝印：FGY120T65SPD；Package：TP-247；Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode 650 V, 120 A Features •VeryLowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Typ.)@IC=120A •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficient •TightParameterDistribution •HighInputImpedance •100%ofthePartsareDynamicallyTested •ShortCircuitRuggedness>6s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGY120T65SPD-F085	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 240A 882W TO-247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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丝印：FGY120T65SPD；Package：TP-247；Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode 650 V, 120 A

Features •VeryLowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Typ.)@IC=120A •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficient •TightParameterDistribution •HighInputImpedance •100%ofthePartsareDynamicallyTested •ShortCircuitRuggedness>6s

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FGY120T65SPD-F085

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Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 240A 882W TO-247

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产品属性

产品编号：
FGY120T65SPD-F085
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，120A
开关能量：
6.8µJ（开），3.5µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/102ns
测试条件：
400V，120A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 650V 240A 882W TO-247

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