| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
FGY100T65SCDT | Marking：FGY100T65SCDT；Package：TO-247H03；Field Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100A | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
FGY100T65SCDT
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，100A
- 开关能量：
5.4mJ（开），3.8mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
84ns/216ns
- 测试条件：
400V，100A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3 变式
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
FS3TIGBT TO247 100A 650V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
更多FGY100T65SCDT供应商
更新时间
