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FGA30S120P	文件：646.77 Kbytes Page：8 Pages	Shorted AnodeTM IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA30S120P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FS30S120CT	文件：321.11 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereSurfaceMountDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IDW30S120	文件：753.63 Kbytes Page：11 Pages	thinQ!TMSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
S30S120CR	文件：144.28 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
VS-ENW30S120T	文件：440.23 Kbytes Page：7 Pages	EMIPAK1BPressFitPowerModule1200VSiliconCarbideSinglePhaseBridge,30A FEATURES •SiCdiodetechnology •ExposedAl2O3substratewithlowthermal resistance •Veryhighfrequencyoperating •Lowinternalinductances •QualifiedusingAQG324guidelineasreference •PressFitpinslockingtechnology PATENT(S):www.vishay.com/patents •Materialcategorization:	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
FGA30S120P
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，30A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3PN
描述：
IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN

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