丝印：FGA30S120P；Package：TO-3P；1300 V, 30 A Shorted-anode IGBT

Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.75 V @ IC = 30 A • High Input Impedance • RoHS Compliant Applications • Induction Heating, Microwave Oven General Description Using advanced field stop trench and shorted-anode technology, Fairchild’s shorted-anode

文件：363.66 Kbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

IGBT

FEATURES · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.75V@IC=30A · High Speed Switching · High Input Impedance APPLICATIONS · General Purpose Inverters · Automotive Chargers · UPS,PFC · Induction Heating

文件：331.45 Kbytes 页数：3 Pages

ISC

无锡固电

Shorted AnodeTM IGBT

文件：646.77 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

1300V, 30A，短路阳极 IGBT

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。 •高速开关\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.75V @ IC = 30A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN

ONSEMI

安森美半导体