Shorted AnodeTM IGBT

General Description Using advanced Field Stop Trench and Shorted Anode technology, Fairchild’s Shorted AnodeTM Trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche capability . This device is desing

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FAIRCHILD

仙童半导体

1250 V, 25 A Shorted-anode IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：FGA25S125P；Package：TO-3PN；1250 V, 25 A Shorted-anode IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

IGBT，1250v，25A，短路阳极

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。 •高速开关\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.8V @ IC = 25A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN

ONSEMI

安森美半导体