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FGA25S125P	文件：690.72 Kbytes Page：8 Pages	Shorted AnodeTM IGBT GeneralDescription UsingadvancedFieldStopTrenchandShortedAnodetechnology,Fairchild’sShortedAnodeTMTrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasy paralleloperationwithexceptionalavalanchecapability.Thisdeviceisdesing	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGA25S125P	文件：633.55 Kbytes Page：7 Pages	1250 V, 25 A Shorted-anode IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGA25S125P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGA25S125P-SN00337	文件：633.55 Kbytes Page：7 Pages	1250 V, 25 A Shorted-anode IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGA25S125P-SN00337	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
L25S125	文件：310.21 Kbytes Page：4 Pages	SemiconductorFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
L25S125.V	文件：608.73 Kbytes Page：11 Pages	L25SSERIESTRADITIONALHIGH-SPEED Description TheL25SSeriesisatraditionalNorthAmericanBoltedstylehigh-speedfuseforprotectionofpowersemiconductordevicesthatareratedupto250Vacand200Vdc. LittelfusePOWR-SPEED®productsofferoptimizedcircuitprotectionattheextremelyfastspeedrequiredtoprotectpo	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
PI25S125	文件：629.7 Kbytes Page：2 Pages	SMTHIGHCURRENTPLANARINDUCTORS	MPSIND MPS Industries, Inc.

产品属性

产品编号：
FGA25S125P
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，25A
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3PN
描述：
IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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