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FGAF40N60UF	文件：387.02 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=3.0V@IC=20A · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · General Inverter · PFC 文件：387.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FGAF40N60UF	文件：494.22 Kbytes Page：7 Pages	Ultrafast IGBT 文件：494.22 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGAF40N60UF	文件：288.13 Kbytes Page：7 Pages	High Speed Switching 文件：288.13 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGAF40N60UFD	文件：583.72 Kbytes Page：8 Pages	Ultrafast IGBT 文件：583.72 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGAF40N60UFTU	文件：288.13 Kbytes Page：7 Pages	High Speed Switching 文件：288.13 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGAF40N60UF	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，600V，PT 飞兆半导体的 IGBT UF 系列可提供低导通和开关损耗。UF系列设计用于需要高速开关特性的一般逆变器和PFC等应用。 •高速开关：Eoff =12uJ/A\n•低饱和电压：VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A\n•高输入阻抗;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGAF40N60UFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V，PT IGBT 安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •高速开关： Eoff =12uJ/A\n•低饱和电压： VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A\n•高输入阻抗;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGAF40N60UFTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A TO3PF	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
600
IC Max (A)：
20
VCE(sat) Typ (V)：
2.3
Eoff Typ (mJ)：
0.13
Eon Typ (mJ)：
0.47
Gate Charge Typ (nC)：
77
PD Max (W)：
100
Co-Packaged Diode：
No
Package Type：
TO-3PF-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FGAF40N60UF	FAIRCHIL	24+	TO-3PF	8866		询价
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更多FGAF40N60UF供应商更新时间2026-2-1 16:30:00

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