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FGB20N6S2D	文件：232.38 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode General Description The FGH20N6S2D FGP20N6S2D, FGB20N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge, plateau voltage and high avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：232.38 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB20N6S2D	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth Diode General Description The FGH20N6S2D FGP20N6S2D, FGB20N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge, plateau voltage and high avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：231.95 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB20N6S2DT	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth Diode General Description The FGH20N6S2D FGP20N6S2D, FGB20N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge, plateau voltage and high avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：231.95 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB20N6S2D	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 600V 28A 125W TO263AB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
28A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值：
125W
开关能量：
25µJ（开），58µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
30nC
25°C 时 Td（开/关）值：
7.7ns/87ns
测试条件：
390V，7A，25 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：
31ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB

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