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FGB20N6S2D中文资料IGBT 600V 28A 125W TO263AB数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGB20N6S2D

功能描述

IGBT 600V 28A 125W TO263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FGB20N6S2D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :28A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :40A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.7V @ 15V,7A

  • 功率 - 最大值

    :125W

  • 开关能量

    :25µJ(开),58µJ(关)

  • 输入类型

    :标准

  • 栅极电荷

    :30nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :7.7ns/87ns

  • 测试条件

    :390V,7A,25 欧姆,15V

  • 反向恢复时间(trr)

    :31ns

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装

    :TO-263AB

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