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GTS9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Surfacemountpackage	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H9926CS	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926CTS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926S	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926TS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HM9926B	文件：491.38 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
JMTP9926A	文件：314.702 Kbytes Page：5 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KD9926	文件：984.39 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KI9926A	文件：483.71 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LM9926B	文件：569.86 Kbytes Page：3 Pages	20VDS竊뤒?2VGS竊?A(ID)DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

详细参数

型号：
FDW9926A_Q
功能描述：
MOSFET 20V/10V Dual NCh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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