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FDW9926NZ

CommonDrainN-Channel2.5VspecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildsSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features •4.5A,20V.RDS(ON)=32mW@V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FTK9926

Advancedtrenchprocesstechnology

FS

First Silicon Co., Ltd

GAPM9926

MinisizeofDiscretesemiconductorelements

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

GAPM9926C

MinisizeofDiscretesemiconductorelements

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

GSS9926

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GSS9926E

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GT9926NW

MinisizeofDiscretesemiconductorelements

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

GTC9926

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GTC9926E

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GTS9926

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheGTS9926providesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features *Lowon-resistance *Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    FDW9926A_Q

  • 功能描述:

    MOSFET 20V/10V Dual NCh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDW9926A_Q供应商 更新时间2025-5-16 11:00:00