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FDZ293P

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

General Description Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified PowerTrench process with state of the art BGA packaging, the FDZ293P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transf

文件:376.55 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDZ293P

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET

文件:243.41 Kbytes 页数:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDZ293P_06

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET

文件:243.41 Kbytes 页数:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDZ293P

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    FDZ293P

  • 功能描述:

    MOSFET 2.5V PCH BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDZ293P供应商 更新时间2025-12-6 9:05:00