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FKBP208	文件：21.1 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcasedielectricstrengthof2000VDC Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency Idealforprintedcircuitboard Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FKBP208	文件：106.58 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERY	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FP208	文件：98.67 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorDriverApplications DriverApplications Features •Compositetypewith2PNPtransistorsinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. •TheFP208iscomposedof2chipseachequivalenttothe2SB1121.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSB208	文件：233.78 Kbytes Page：1 Pages	2AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
FSB208	文件：46.79 Kbytes Page：1 Pages	2AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS FEATURES PRVRatingsfrom50to1000Voits Surgooverioadratingto50Ampspoak Roliablolowcostmoldodplasticconstruction Idoalforprintedcircultboardapplications *Fastswitchingforhighofficioncy	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
FX208	文件：83.87 Kbytes Page：3 Pages	VeryHigh-SpeedSwitchingApplications Features •LowON-resistance. •Veryhigh-speedswitching. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
G208E	文件：199.1 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,2WCompactMiniDIPDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G208EI	文件：204.42 Kbytes Page：2 Pages	HighIsolation,2WLowCost,MiniDIPDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
GBAJ208	文件：143.28 Kbytes Page：2 Pages	OutdoorOFCMLT:ARAMIDPEwith12TubesofØ1.9mm108fMMOM2. ProductDescription OutdoordrycoreopticalfiberMultiLooseTubecablewitharamidyarnsasstrengthmemberandpolyethyleneouterjacket.Existingoutof12tubeswitha diameterof1.9mmwith108fibers(9tx12f)MMOM2.	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
GBJ208	文件：35.58 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-2.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-60amperespeak ●Idealforprintedcircuitboard ●PlasticmaterialhasU/L flammabilityclassification94V-0 ●Mountingpostition:Any	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY

详细参数

型号：
FDZ208P_Q
功能描述：
MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDZ208P_Q供应商更新时间2025-5-7 11:00:00

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