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FDZ2554P	文件：183.34 Kbytes Page：6 Pages	Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench General Description Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ2554P minimizes both PCB space and RDS(ON). This monolithic common drain BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine 文件：183.34 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ2554P	文件：222.66 Kbytes Page：6 Pages	Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 文件：222.66 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ2554PZ	文件：149.48 Kbytes Page：6 Pages	Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ2554PZ minimizes both PCB space and RDS(ON). This monolithic common drain BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combin 文件：149.48 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ2554P_07	文件：222.66 Kbytes Page：6 Pages	Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 文件：222.66 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDZ2554P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDZ2554PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FDZ2554P
功能描述：
MOSFET 20V/12V PCh Monolith Common Drain BGa
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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