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零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
299	文件：51.94 Kbytes Page：1 Pages	BladeTerminal&SpecialPurposeFuses-LowVoltage	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
299	文件：290.73 Kbytes Page：1 Pages	PLUGGABLESERIES	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司
299	文件：197.81 Kbytes Page：1 Pages	DUAL-IN-LINESOCKETSRightAngleMountClosedFrame	MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp.
299	文件：97.57 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1BUSBAR a)Conductor24(SOLID)AWGTinnedCopper	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
299D	文件：132.04 Kbytes Page：8 Pages	Solid-ElectrolyteTANTALEX짰Capacitors,TripoleTriple-Lead,Resin-Coated	VishayVishay Siliconix 威世科技
299x	文件：111.6 Kbytes Page：1 Pages	Laser&detectorchip&TO-canproducts	AVAGOAvago 安华高安华高科技
AN299	文件：1.08534 Mbytes Page：4 Pages	EXTERNAL32.768KHZCRYSTALOSCILLATOR	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
BA299	文件：1.5089 Mbytes Page：84 Pages	512MbC-dieNORFLASH GENERALDESCRIPTION TheK8A(10/11/12/13)15Efeaturingsingle1.8Vpowersupplyisa512MbitMuxedBurstMultiBankFlashMemoryorganizedas32Mx16.Thememoryarchitectureofthedeviceisdesignedtodivideitsmemoryarraysinto512blocks(Uniformblockpart)/515blocks(Bootblockpart)withind	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
BAS299	文件：218.37 Kbytes Page：5 Pages	HIGHSPEEDHIGHCURRENTQUADSWITCHINGDIODE Features •High-SwitchingSpeed,HighCurrent •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualif	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BF299	文件：142.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIERS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
BSH299	文件：93.63 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeMOStransistorinaSOT363SMDpackage. FEATURES •Lowthresholdvoltage •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. APPLICATIONS •Powermanagement •Batterypoweredapplicationse.g.cellularphones •Gen	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSP299	文件：169.5 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalancherated) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V	SIEMENS Siemens Ltd
BSP299	文件：169.5 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSP299	文件：264.52 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BY299	文件：128.8 Kbytes Page：2 Pages	SOFTRECOVERYPLASTICRECTIFIER VOLTAGE-100TO800VoltsCURRENT-2.0Ampere FEATURE •Highsurgecurrentcapability •ThePlasticpackagecarriesUnderwriters. •LaboratoryFlammabilityclassification94V-O 2.0AmpereoperationatTA=55OCwithnothermalrunway. •Fastswitchingforhighefficiency •Exceedsenviromen	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司
BY299	文件：139.59 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS ReverseVoltage–100to800VForwardCurrent–2A Features •Lowforwardvoltagedrop •Lowcost •Lowleakage •Highcurrentcapability	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
BY299	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERRECTIFIER VOLTAGERANGE100to800VoltsCURRENT2.0Ampere FEATURES ●Lowcoatconstruction ●Fastswitchingforhighefficency. ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司
BY299	文件：50.06 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERRECTIFIER VOLTAGERANGE100to800VoltsCURRENT2.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Fastswitchingforhighefficency. ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MIC MIC GROUP RECTIFIERS
BY299	文件：48.55 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES PRV:100-800Volts Io:2.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency	SYNSEMI SynSemi，Inc.
BY299	文件：234.88 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS ReverseVoltage-100to800VoltsForwardCurrent-2.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderinggu	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司

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详细参数

型号：
FDZ299P_Q
功能描述：
MOSFET 20V/12V PCh MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特莱科技有限公司	FDZ299PMOS	FAIRCHILD/仙童	22+21+	BGA-8	6000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳兆威电子有限公司	FDZ299PMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	BGA-6	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FDZ299PMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	BGA-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	FDZ299PMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	22+	BGA-8	50000	原装正品.假一罚十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FDZ299P-NL	FAIRCHILD/仙童	21+ROHS	BGA	60000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	FDZ3.6B	NXP/恩智浦	23+	SOD323	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FDZ3547N	FAIRCHILD	23+	BGA	10000	全新原装现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FDZ371PZ	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	FDZ371PZ		23+	N/A	35900	正品授权货源可靠	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	FDZ371PZ	Fairchild	1930+	N/A	1279	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价

更多FDZ299P_Q供应商更新时间2024-4-25 10:36:00

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