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FDZ291P	文件：170.32 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET GeneralDescription CombiningFairchild’sadvanced1.5VspecifiedPowerTrenchprocesswithstateoftheartBGApackaging,theFDZ291PminimizesbothPCBspaceandRDS(ON).ThisBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellentthermaltransf	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FDZ291P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FE1.1	文件：0 bytes Page：0 Pages	汤铭 SSOP28	汤铭上传：深圳市博浩通科技有限公司	汤铭

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更多FDZ291P供应商更新时间2025-8-2 14:13:00