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FDZ202P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

General Description Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified PowerTrench process with state of the art BGA packaging, the FDZ202P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transf

文件:35.45 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDZ202P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

文件:169.86 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDZ202P_04

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

文件:169.86 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDZ202P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    FDZ202P

  • 功能描述:

    MOSFET 20V/12V P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FDZ202P供应商 更新时间2026-4-17 11:15:00