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H9926TS中文资料华昕数据手册PDF规格书

H9926TS
厂商型号

H9926TS

功能描述

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)

文件大小

44.8 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企业简称

HSMC华昕

中文名称

华昕科技有限公司官网

原厂标识
HSMC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:33:00

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H9926TS规格书详情

描述 Description

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of advanced trench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V-10V)

特性 Features

• RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V, ID=6A

• High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance

• High Power and Current Handing Capability

• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

• Ideal for Li ion Battery Pack Applications

Applications

• Battery Protection

• Load Switch

• Power Management

产品属性

  • 型号:

    H9926TS

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全称:

    HSMC

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(20V, 6A)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
S000HYNIX
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