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FDW258P	文件：161.79 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8V – 8V). Features • –9 A, –12 V. RDS(ON) = 11 mΩ @ VGS 文件：161.79 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDW258P	文件：389.33 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 文件：389.33 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDW258P_08	文件：389.33 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 文件：389.33 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDW258P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FDW258P
功能描述：
MOSFET 12V/8V PCh MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正迈科技有限公司	FDW258P	FAIRCHILD	23+	P-MOSFET/-12V/-9A/11MΩ	3143	正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装	询价
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更多FDW258P供应商更新时间2025-11-23 9:12:00

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