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FDW258P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDW258P
厂商型号

FDW258P

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

161.79 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:05:00

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FDW258P规格书详情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8V – 8V).

特性 Features

• –9 A, –12 V. RDS(ON) = 11 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = –1.8 V

• Rds ratings for use with 1.8 V logic

• Low gate charge

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• Low profile TSSOP-8 package

Applications

• Load switch

• Motor drive

• DC/DC conversion

• Power management

产品属性

  • 型号:

    FDW258P

  • 功能描述:

    MOSFET 12V/8V PCh MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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