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FDW2521C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDW2521C

功能描述

Complementary PowerTrench MOSFET

文件大小

149.07 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-21 12:01:00

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FDW2521C规格书详情

General Description

This complementary MOSFET device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

特性 Features

• Q1: N-Channel

5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 21 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 2.5 V

• Q2: P-Channel

–3.8 A, 20 V. RDS(ON) = 43 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = –2.5 V

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• Low profile TSSOP-8 package

Applications

• DC/DC conversion

• Power management

• Load switch

产品属性

  • 型号:

    FDW2521C

  • 功能描述:

    MOSFET 20V/-20V N/P

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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