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FDW2507N中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDW2507N
厂商型号

FDW2507N

功能描述

Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

文件大小

129.56 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:00:00

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FDW2507N规格书详情

General Description

This monolithic common drain N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v on special TSSOP-8 lead frame with all the drains on one side of the package.

特性 Features

• 7.5 A, 20 V. RDS(ON) = 19 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = 2.5 V

• Isolated source and drain pins

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON) @ VGS = 2.5 V

• Low profile TSSOP-8 package

Applications

• Li-Ion Battery Pack

产品属性

  • 型号:

    FDW2507N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 2.5V Common Drain

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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