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FDW2501NZ中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDW2501NZ
厂商型号

FDW2501NZ

功能描述

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

92.82 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDW2501NZ规格书详情

General Description

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

特性 Features

• 6 A, 20 V. RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 0.028 Ω @ VGS = 2.5V

• Extended VGSS range (±12V) for battery applications.

• ESD protection diode (note 3).

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• Low profile TSSOP-8 package

Applications

• Load switch

• Motor drive

• DC/DC conversion

• Power management

产品属性

  • 型号:

    FDW2501NZ

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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