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FDW2508P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDW2508P
厂商型号

FDW2508P

功能描述

Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

135.26 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 23:52:00

FDW2508P规格书详情

General Description

This P-Channel –1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

Features

• –6 A, –12 V. RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = –1.8 V

• Low gate charge(26nC typical)

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• Low profile TSSOP-8 package

Applications

• Power management

• Load switch

• Battery protection

产品属性

  • 型号:

    FDW2508P

  • 功能描述:

    MOSFET 12V/8V PCh MOSFET Dual

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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