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IRFP254	文件：46.91 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IRFP254	文件：1.37117 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP254	文件：162.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.14ohm,Id=23A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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IRFP254

文件：46.91 Kbytes

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StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode

StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-mode po

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IRFP254

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PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

IRFP254

文件：162.48 Kbytes

Page：6 Pages

PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.14ohm,Id=23A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

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详细参数

型号：
FDW254PZ
功能描述：
MOSFET P-Ch 1.8V Spec PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛能新源半导体有限公司	FDW254PZ	ON/安森美	21+	TSSOP-8	60000	原装正品进口现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	FDW254PZ	FAIRCHILD	2017+	MSOP	45852	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	FDW254PZ		23+	N/A	38460	正品授权货源可靠	询价
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FDW254PZ	FAIRCHILD	1709+	TSSOP-8	32500	普通	询价

更多FDW254PZ供应商更新时间2024-5-13 15:43:00

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