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FDN302P-NL	文件：1.04078 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.04078 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FDV302	文件：63.55 Kbytes Page：4 Pages	Digital FET, P-Channel General Description This P-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for 文件：63.55 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDV302P	文件：63.55 Kbytes Page：4 Pages	Digital FET, P-Channel General Description This P-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for 文件：63.55 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDV302P	文件：1.50903 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Mosfet Product Summary « Voss= 20V, Ip=-07A + Ros(on) 520mO@-4.5V Max) 750mQ@-2.5V (Max) 950mQ @-1.8V(TYP) 文件：1.50903 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

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更多FDN302P-NL供应商更新时间2026-1-29 21:08:00