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FDN352	文件：448.76 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Features ■ –1.3 A, –30V RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = –10V –1.1 A, –30V RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = –4.5V ■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON). ■ High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30 higher power handling capability. 文件：448.76 Kbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDN352	文件：356.75 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET General Description These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package. Features ■ –1.3 A, –30V RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = –10V –1.1 A, –30V RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = –4.5V ■ High 文件：356.75 Kbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
FDN352AP	文件：448.76 Kbytes Page：5 Pages	丝印：52AP；Package：SOT-23；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Features ■ –1.3 A, –30V RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = –10V –1.1 A, –30V RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = –4.5V ■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON). ■ High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30 higher power handling capability. 文件：448.76 Kbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDN352AP	文件：356.75 Kbytes Page：5 Pages	丝印：52AP；Package：SOT-23；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET General Description These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package. Features ■ –1.3 A, –30V RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = –10V –1.1 A, –30V RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = –4.5V ■ High 文件：356.75 Kbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
FDN352AP	文件：1.22738 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-1.3 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.22738 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FDN352AP	文件：118.89 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel, PowerTrench General Description This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features ■ –1.3 A, –30 文件：118.89 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDN352AP-HF	文件：1.56336 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-1.3 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.56336 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FDN352AP	文件：123.56 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 文件：123.56 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDN352AP_0508	文件：123.56 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 文件：123.56 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDN352AP-3	文件：1.0468 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.0468 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
25
VGS(th) Max (V)：
-2.5
ID Max (A)：
-1.3
PD Max (W)：
0.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
300
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
180
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.4
Ciss Typ (pF)：
150
Package Type：
SOT-23-3

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