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FDN335	文件：210.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • 1.7 A, 20 V. 文件：210.05 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDN335	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDN335N	文件：384.89 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE ● TrenchFET Power MOSFET ● Supper high density cell design 文件：384.89 Kbytes 页数：3 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDN335N	文件：351.96 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE ● TrenchFET Power MOSFET ● Supper high density cell design APPLICATION ※ Battery protection ※ Load switch ※ Battery management 文件：351.96 Kbytes 页数：3 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
FDN335N	文件：210.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • 1.7 A, 20 V. 文件：210.05 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDN335N	文件：1.91096 Mbytes Page：4 Pages	20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20VΩ RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 1.7A= 70mΩ RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 1.5A=100mΩ Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 文件：1.91096 Mbytes 页数：4 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
FDN335N-NL	文件：1.884 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.884 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FDN335N	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel MOSFET	Plingsemic 鹏领半导体	Plingsemic
FDN335N	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
1.7
PD Max (W)：
0.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
100
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
70
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.5
Ciss Typ (pF)：
310
Package Type：
SOT-23-3

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更多FDN335供应商更新时间2026-1-17 9:31:00

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