P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –20 V, –1.5 A. Rds(on)= 125 mΩ@ Vgs= –4.5

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Fairchild

仙童半导体

丝印：308；Package：SOT-23；P-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

Features VDS (V) = -20V RDS(ON)

文件：446.7 Kbytes 页数：5 Pages

UMW

友台半导体

丝印：WT1X；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

Product Summary Vbss= -20V, Ip=-2.8A RDS(on) 80m Q@-2.5V( Typ) 110mQ@-4.5V (Typ ) ' High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mount Package

文件：1.50744 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：308；Package：SOT-23；P-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

Applications Power management Load switch Battery protection Features VDS (V) = -20V RDS(ON)

文件：331.64 Kbytes 页数：5 Pages

EVVOSEMI

翊欧

P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-1.5A，125mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。 •–20 A，–1.5 V。\n•RDS(ON)= 125 mΩ @ VGS = –4.5 V\n•RDS(ON) = 190 mΩ @ VGS = –2.5 V\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•SuperSOT™-3提供低RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比SOT23高出30%;

ONSEMI

安森美半导体