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厂商型号

FDN308P

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

96.53 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-16 12:00:00

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FDN308P规格书详情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management

applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

特性 Features

• –20 V, –1.5 A. Rds(on)= 125 mΩ@ Vgs= –4.5 V

Rds(on)= 190 mΩ@ Vgs= –2.5 V

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely low Rds(on)

• SuperSOT -3 provides low RDS(ON)and 30 higher power handling capability than SOT23 in the same footprint

产品属性

  • 型号:

    FDN308P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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