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FDV302P	文件：63.55 Kbytes Page：4 Pages	Digital FET, P-Channel GeneralDescription ThisP-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorisproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesignedespeciallyfor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDV302P	文件：1.50903 Mbytes Page：4 Pages	Marking：.39K；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet ProductSummary «Voss=20V,Ip=-07A +Ros(on)520mO@-4.5VMax) 750mQ@-2.5V(Max) 950mQ@-1.8V(TYP)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDY302NZ	文件：218.78 Kbytes Page：6 Pages	FDY302NZSingleN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFM302	文件：24.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM302	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype 3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Highcurrentcapability. •Fastswitchi	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FFM302	文件：82.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FFM302	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	3A100VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
FFM302	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
FFM302	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
FFM302	文件：97.95 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

详细参数

型号：
FDV302P
功能描述：
MOSFET Digital FET P-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDV302P供应商更新时间2025-5-24 8:40:00

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