P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??MOSFET

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench™ MOSFET

文件：307.71 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：342P；Package：SOT23；P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

Product Summary Vps = -20V,Ip = -3A Rosion)

文件：12.00195 Mbytes 页数：6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-2A，80mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。 •-2 A，-20 V。 RDS(ON) = 0.08 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 0.13 Ω @ VGS = -2.5 V。\n• RDS(ON) = 0.08 Ω @ VGS = -4.5 V\n• RDS(ON) = 0.13 Ω @ VGS = -2.5 V.\n•扩展了VGSS范围(±12V)，适合电池应用。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。\n•增强功率SuperSOT™-3 (SOT-23)。;

ONSEMI

安森美半导体

SAW Resonator - Remote Control

文件：276.68 Kbytes 页数：5 Pages

TEMEX

General-Purpose Switching Device Applications

文件：55.3 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：2.8529 Mbytes 页数：14 Pages

VBSEMI

微碧半导体