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FDN342P	文件：307.71 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??MOSFET P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench™MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN342P	文件：12.00195 Mbytes Page：6 Pages	Marking：342P；Package：SOT23；P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs ProductSummary Vps=-20V,Ip=-3A Rosion)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FRW342	文件：276.68 Kbytes Page：5 Pages	SAWResonator-RemoteControl	TEMEX temex	TEMEX
FW342	文件：55.3 Kbytes Page：6 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FW342-TL-E	文件：2.8529 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
GA342A	文件：1.43993 Mbytes Page：28 Pages	SafetyStandardCertifiedChipMultilayerCeramicCapacitorsforGeneralPurpose ThisspecificationisappliedtosafetystandardcertifiedChipMultilayerCeramicCapacitorsTypeGDusedforUL60950/CSA22.2conformeddevices.	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
GA342D	文件：205.52 Kbytes Page：1 Pages	MURATASafetyRatedCeramicChipCapacitors •LeadFree•250VAC(r.m.s.) •Basemetalandlead-freetechnology •GA3issafetyRated(Y2/Y3) •OperatingTemperature:-55°Cto+125°C •TemperatureCoefficient:X7R	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
GA342Q	文件：205.52 Kbytes Page：1 Pages	MURATASafetyRatedCeramicChipCapacitors •LeadFree•250VAC(r.m.s.) •Basemetalandlead-freetechnology •GA3issafetyRated(Y2/Y3) •OperatingTemperature:-55°Cto+125°C •TemperatureCoefficient:X7R	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
GD-342AP	文件：39.28 Kbytes Page：1 Pages	AZDISPLAYS,INC.	AZDISPLAYS AZ Displays	AZDISPLAYS
H342	文件：261.829 Kbytes Page：12 Pages	LANDISCRETETRANSFORMERMODULES	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

详细参数

型号：
FDN342P
功能描述：
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDN342P供应商更新时间2025-7-25 14:03:00

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