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FDMS86550中文资料60V N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86550

功能描述

60V N沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS86550规格书详情

描述 Description

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性 Features

• 最大rDS(on) = 1.65 mΩ(VGS = 10 V,ID = 32 A)
• 最大rDS(on) = 2.2 mΩ(VGS = 8 V,ID = 27 A)
• 低rDS(on)和高效的高级硅封装
•MSL1 耐用封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• Primary Switch in insolated DC-DC
• Synchronous Rectifier
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86550

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :234

  • PD Max (W)

    :156

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.65

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :90

  • Ciss Typ (pF)

    :8235

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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