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FDMS86550	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N沟道PowerTrench® MOSFET; • 最大rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V，ID = 32 A）\n• 最大rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V，ID = 27 A）\n• 低rDS(on)和高效的高级硅封装\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准\n; 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越的开关性能而量身定制。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDMS86550	文件：472.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS86550ET60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，245A，1.65mΩ; •扩展额定 TJ 至 175°C\n• 最大值 rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V、ID = 32 A）\n• 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V, ID = 27 A）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准\n; 飞兆先进的 PowerTrench® 工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而量身定制的。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDMS86550

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60V N沟道PowerTrench® MOSFET; • 最大rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V，ID = 32 A）\n• 最大rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V，ID = 27 A）\n• 低rDS(on)和高效的高级硅封装\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准\n;

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越的开关性能而量身定制。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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N-Channel PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDMS86550ET60

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，245A，1.65mΩ; •扩展额定 TJ 至 175°C\n• 最大值 rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V、ID = 32 A）\n• 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V, ID = 27 A）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准\n;

飞兆先进的 PowerTrench® 工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而量身定制的。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
234
PD Max (W)：
156
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.65
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
90
Ciss Typ (pF)：
8235
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMS86550供应商更新时间2025-7-28 9:31:00

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