FDMS86500L中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，158A，2.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

• Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A
• Max rDS(on) = 3.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 20 A
• advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
• Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
• MSL1 robust package design
• 100% UIL tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• DC-DC商用电源
• Primary Switch in Isolated DC-DC
• Synchronous Rectifier
• Load Switch

简介

FDMS86500L属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDMS86500L晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。