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FDMS86350数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS86350

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,130A,2.4mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:16:00

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FDMS86350规格书详情

描述 Description

这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 Power Trench®工艺生产,该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性 Features

•最大 rDS(on) = 2.4 mΩ(VGS = 10 V、ID = 25 A 时)
•最大 rDS(on) = 3.2 mΩ(VGS = 8 V、ID = 22 A 时)
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 rDS(on)和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• Primary MOSFET
• Synchronous Rectifier
• Load Switch
• Motor Control Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86350

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :130

  • PD Max (W)

    :156

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :90

  • Ciss Typ (pF)

    :8030

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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