FDMB3800N中文资料双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，4.8A，40mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMB3800N规格书详情
描述 Description
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
特性 Features
•rDS(on)最大值 = 40 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 4.8 A
•rDS(on)最大值 = 51 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 4.3 A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力。
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMB3800N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：4.8
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=51
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=40
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4
- Ciss Typ (pF)
：350
- Package Type
：WDFN-8
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