FDMA8878中文资料单 N 沟道,Power Trench® MOSFET,30V,9.0A,16mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMA8878规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10 V,ID = 9.0 A时,最大rDS(on) = 16mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 8.5 A时,最大rDS(on) = 19mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•快速开关速度
•符合RoHS标准
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
:FDMA8878
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:9
- PD Max (W)
:2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:19
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:16
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:4.1
- Ciss Typ (pF)
:539
- Package Type
:WDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
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FAIRCHILD |
24+ |
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25+ |
WDFN-6 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD |
24+ |
QFN |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ONSEMI/安森美 |
23+ |
WDFN-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |