DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

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FAIRCHILD

仙童半导体

Uninterruptible Power Supply

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Uninterruptible Power Supply

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel UniFETTM II MOSFET?

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，6.5 A，850 mΩ，DPAK

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 770mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A\n•低栅极电荷（典型值 14nC）\n•低 Crss（典型值 5pF）\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体