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FDG6335N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET，20V，0.7A，300mΩ 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。它专为小型开关调节器而优化，可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。; •0.7A，20V。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V\n•低栅极电荷（1.1nC，典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。\n;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDG6335N	文件：66.23 Kbytes Page：5 Pages	20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizeduseinsmallswitchingregulators,providinganextremelylowRDS(ON)andgatec	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDG6335N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
FDG6335N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	XWXWSEMI (Shenzhen) Co., Ltd 芯微半导体芯微半导体（深圳）有限公司	XW
FDH055N15A	文件：0 bytes Page：0 Pages	FSC TO-247	FSC 上传：深圳市祥瑞智科技有限公司	FSC

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更多FDG6335N供应商更新时间2025-8-2 14:13:00