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FDD8N50NZ

Uninterruptible Power Supply

文件:612.79 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8N50NZ

丝印:DPAK;Package:TO-252;Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:251.14 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDD8N50NZTM

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

文件:298.83 Kbytes 页数:14 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8N50NZTM

Uninterruptible Power Supply

文件:612.79 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8N50NZTM

N-Channel UniFETTM II MOSFET?

文件:326.6 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8N50NZ

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,500 V,6.5 A,850 mΩ,DPAK

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 770mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.25A\n•低栅极电荷(典型值 14nC)\n•低 Crss(典型值 5pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    500

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    6.5

  • PD Max (W):

    90

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    850

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    14

  • Ciss Typ (pF):

    565

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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FAIRCHILD
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更多FDD8N50NZ供应商 更新时间2026-1-31 16:50:00