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FDG6332C_F085	文件：284.44 Kbytes Page：8 Pages	20V N & P-Channel PowerTrench짰MOSFETs General Description The N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional pow 文件：284.44 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDG6332C_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 这些双N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。 •Q1 0.7 A、20 V。RDS(ON) = 300 mΩ (VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 400 mΩ (VGS = 2.5 V)\n•Q2 -0.6A, -20V。RDS(ON) = 420 mΩ (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 630 mΩ (VGS = -2.5 V)\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)\n•SC70-60封装小尺寸（比标准SSOT-6小51%）；薄型（1mm厚）。\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDH055N15A	文件：0 bytes Page：0 Pages	FSC TO-247	FSC 上传：深圳市祥瑞智科技有限公司	FSC
FDLL4148	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON SOD-80	ON 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ON
FDLL4448	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
±1.5
ID Max (A)：
N
PD Max (W)：
0.3
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.4
Ciss Typ (pF)：
114
Package Type：
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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