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FDG6332C_F085	文件：284.44 Kbytes Page：8 Pages	20V N & P-Channel PowerTrench짰MOSFETs GeneralDescription TheN&P-ChannelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedeviceshavebeendesignedtoofferexceptionalpow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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FDG6332C_F085

文件：284.44 Kbytes

Page：8 Pages

20V N & P-Channel PowerTrench짰MOSFETs

GeneralDescription TheN&P-ChannelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedeviceshavebeendesignedtoofferexceptionalpow

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
FDG6332C_F085
功能描述：
MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDG6332C_F085供应商更新时间2025-7-19 16:20:00

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