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FDG6301N_F085	文件：351.8 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel, Digital FET GeneralDescription ThesedualN-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesignedespeci	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDG6301N-F085	文件：640.17 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel, Digital FET Features •25V,0.22AContinuous,0.65APeak •RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V, •RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V. •VeryLowLevelGateDriveRequirementsallowingDirectop− Erationin3VCircuits(VGS(th)6kVHumanBodyModel) •CompactIndu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDG6301N_F085

文件：351.8 Kbytes

Page：5 Pages

Dual N-Channel, Digital FET

GeneralDescription ThesedualN-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesignedespeci

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDG6301N-F085

文件：640.17 Kbytes

Page：6 Pages

Dual N-Channel, Digital FET

Features •25V,0.22AContinuous,0.65APeak •RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V, •RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V. •VeryLowLevelGateDriveRequirementsallowingDirectop− Erationin3VCircuits(VGS(th)6kVHumanBodyModel) •CompactIndu

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FDG6301N_F085
功能描述：
MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDG6301N_F085供应商更新时间2024-4-30 14:00:00

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