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FDG6321C	文件：196.89 Kbytes Page：12 Pages	Dual N & P Channel Digital FET GeneralDescription ThesedualN&P-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesigne	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDG6321C	文件：1.98106 Mbytes Page：9 Pages	N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HCZ-6321	文件：1.12583 Mbytes Page：4 Pages	2MP32xAHDZoomCamera •Max.2MPresolution •Min.Illumination0.2Lux@F1.6(Color),0.01Lux@F1.6(B/W) •4.44~142.6mm(32x)opticalzoom,16xdigitalzoom •DigitalPTZ •Day&Night(AutoICR),WDR(120dB) •Detection,Tracking,FixedMoved,Tamperingsupport	HANWHAVISIONHanwha Vision Co., Ltd. All rights Reserved. 韩华韩华集团	HANWHAVISION
HD6321	文件：944.59 Kbytes Page：25 Pages	PIA(PeripheralInterfaceAdapter)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HL6321G	文件：95.24 Kbytes Page：4 Pages	AlGaInPLaserDiodes	OPNEXT Opnext. Inc.	OPNEXT
LM6321	文件：285.56 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeedBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM6321	文件：328.2 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM6321M	文件：328.2 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM6321M	文件：285.56 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeedBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM6321N	文件：328.2 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
FDG6321C
功能描述：
MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDG6321C供应商更新时间2025-5-7 11:05:00

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