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LM6035IBP	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMC6035	文件：2.11206 Mbytes Page：44 Pages	LMC603x2.7V,Low-Power,Single-Supply,CMOSOperationalAmplifiers 1Features •Typicalunlessotherwisenoted •LMC6035inDSBGApackage •Specified2.7V,3V,5V,and15Vperformance •Specifiedfor2kΩand600Ωloads •Wideoperatingrange:2.0Vto15.5V •Ultra-lowinputcurrent:20fA •Rail-to-railoutputswing –At600Ω:200mVfromeitherrailat2.7	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMC6035IBP	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6035IBPX	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
FDD6035AL_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDD6035AL_Q供应商更新时间2025-5-21 11:00:00

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