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FDP6035AL	文件：93.09 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6035AL	文件：333.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP6035L	文件：413.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6035L	文件：333.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQ6035	文件：180.9 Kbytes Page：2 Pages	AllQuartzSMDCrystal	FOX Fox Electronics	FOX
FQ6035A	文件：180.9 Kbytes Page：2 Pages	AllQuartzSMDCrystal	FOX Fox Electronics	FOX
FQ6035B	文件：180.9 Kbytes Page：2 Pages	AllQuartzSMDCrystal	FOX Fox Electronics	FOX
FST6035	文件：121.72 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowermod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST6035	文件：145.81 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingforReverseProtection ●VRRM35to50Volts ●Highsurgecapacity ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
H6035NL	文件：345.93 Kbytes Page：3 Pages	SMTCOMMONMODECHOKES	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

详细参数

型号：
FDD6035AL_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FDD6035ALMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多FDD6035AL_Q供应商更新时间2025-5-20 11:00:00

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