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FDD6670	文件：195.65 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) , fast switching speed and extremely low RDS( 文件：195.65 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6670	文件：458.59 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET Features · RDS(ON )= 8 mW（ VGS = 10 V） · RDS(ON) = 10 mW（ VGS = 4.5 V） · Low gate charge · Fast Switching · High performance trench technology for extremely low RDS(ON) · VDS (V) = -30V 文件：458.59 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDD6670A	文件：458.59 Kbytes Page：6 Pages	丝印：FDD6670；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Features · RDS(ON )= 8 mW（ VGS = 10 V） · RDS(ON) = 10 mW（ VGS = 4.5 V） · Low gate charge · Fast Switching · High performance trench technology for extremely low RDS(ON) · VDS (V) = -30V 文件：458.59 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDD6670	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD6670A	文件：1.0348 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：1.0348 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FDD6670A	文件：195.65 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) , fast switching speed and extremely low RDS( 文件：195.65 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6670A	文件：351.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=66A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =8mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：351.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD6670AL	文件：351.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=84A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：351.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD6670AL	文件：149.12 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed. Features • 文件：149.12 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6670AL	文件：986.81 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：986.81 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
66
PD Max (W)：
63
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
10
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
8
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
17
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
16
Ciss Typ (pF)：
1755
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

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深圳市亚泰盈科电子有限公司	FDD6670	FAIRCHILD		SOT252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	FDD6670	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-252	5000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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更多FDD6670供应商更新时间2025-10-8 14:02:00

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