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CMPA1D1E030D	文件：1.09631 Mbytes Page：7 Pages	30 W, 13.75 - 14.5 GHz, 40 V GaN MMIC, Power Amplifier Description Wolfspeed’s CMPA1D1E030D is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC) on a Silicon Carbide substrate, using a 0.25 μm gate length fabrication process. GaN-on-SiC has superior properties compared to silicon 文件：1.09631 Mbytes 页数：7 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CMPA1D1E030D	文件：595.44 Kbytes Page：6 Pages	30 W, 13.75 - 14.5 GHz, 40 V, GaN MMIC, Power Amplifier 文件：595.44 Kbytes 页数：6 Pages	CREE 科锐	CREE
CMS32L051LQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP48	CMSEMICON/中微上传：深圳市米数科技有限公司	CMSEMICON/中微
CMS79F7334	文件：0 bytes Page：0 Pages		CMSEMICON/中微9000 上传：深圳市恒凯威科技开发有限公司	CMSEMICON/中微9000
CMS89F6285B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP28	中微半导体上传：深圳市勤思达科技有限公司	中微半导体

更多CMPA1D1E030D供应商更新时间2026-10-8 10:00:00