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CMPA601C025F	文件：1.61817 Mbytes Page：11 Pages	25 W, 6.0 - 12.0 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier Description TheCMPA601C025Fisagalliumnitride(GaN)HighElectronMobility Transistor(HEMT)basedmonolithicmicrowaveintegratedcircuit (MMIC)onaSiliconCarbide(SiC)substrate,usinga0.25μmgate lengthfabricationprocess.Thesemiconductoroffers25Wattsof powerfrom6to12G	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CMPA601C025F	文件：2.61203 Mbytes Page：11 Pages	25 W, 6.0 - 12.0 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier	CreeCree, Inc 科锐	Cree
CMPA601C025D	文件：2.51117 Mbytes Page：20 Pages	6-12GHz,40WGaNHPA Description Wolfspeed'sCMPA601C025Disa40WMMICHPAutilizingWolfspeed'shighperformance,0.25um GaNonSiCproductionprocess.TheCMPA601C025Doperatesfrom6-12GHzandsupportsboth defenseandcommercial-relatedradarandelectronicwarfareapplications.TheCMPA601C025D achieves40	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CMPA601C025D	文件：542.63 Kbytes Page：6 Pages	25W,6.0-12.0GHz,GaNMMIC,PowerAmplifier	CreeCree, Inc 科锐	Cree

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更多CMPA601C025F供应商更新时间2025-7-13 14:13:00